Vrste Transistor usmerjajoč

Tranzistor jepolprevodniški uporablja za ojačanje ali preklapljanje električnih signalov . Tranzistor ima tri priključke za povezavo z zunanjim vezjem . Prednapenjalne jeKorekcija točka na izhodu oddajnim enosmerne in tok, ki ga tranzistorja nadzorovano . Prednapenjalne omrežja se uporabljajo , kadar so vezja je z diskretnimi vezji . Obstajajo različne vrste tranzistor nagibanja , lahko preberete tukaj . Bipolarnim tranzistorjem usmerjajoč

vrsta bipolarnim tranzistorjem nagibanja jeojačevalnik . Bipolarnim tranzistorjem ojačevalniki morajo biti pristranski , da bi delovali . Z ojačevalniki razreda A , lahko uporabite različne vrste pristranskosti vezij , kot so fiksni pristranskosti , onesnaževalec pristranskosti in - kolektorski stabiliziran vplivni krog.
Bipolar Junction Transistor usmerjajoč

v bipolarni tranzistor ,pristranskost točka omogoča tranzistor deluje v aktivni način . Pristranskosti točka stabilizira tok in Q - point enosmerne napetosti . Pristranskosti točka določa obratovalno točko ( usmerjevalne ); ne smete premik tranzistor na vsakem položaju
RF tranzistorjev usmerjajoč

močnostni tranzistor vključuje . dva elementa, na eni polprevodnikov umrl. Morate pristranskost dveh tranzistorjev komponent . Omrežjem pari tranzistor sestavni terminalov v sredini tal in pristranskosti napetosti . En tranzistor komponenta je pristranski prvemu , razred A delovanje. Druga komponenta tranzistor pristranski drugi , delovanje razreda B .
Field Effect Transistor usmerjajoč

morate pristranskost v polje Tranzistor z dvema napetosti . Ena elektroda mora biti polarizirana od napetosti , ki se uravnava s pomočjo tranzistorja . Tranzistor mora biti v obratovanju saturabilno obremenitve . Gate nasičene preračunavanja in vrata glavnega tranzistor so povezani in podprti z dvema pristranskosti napetosti . Gate napetost nasičene obremenitev na naslednji napetost glavnega Transistor .
Lateral Moč Transistor usmerjajoč

bočni močnostni tranzistor vsebuje eno drift regijo in tudi regije. Obe regiji vsebujejo visoke količine silicija . Postaviti drugo silicijev regijo stransko iz regije dobro . Ko vplivanje na tranzistor ,trenutno teče skozi regijo drift v bočni položaj v med obema silicij regij.