Kako BiasTransistor Field Effect

tranzistorjev s poljskim pojavom ( Tranzistorji z učinkom polja ) razlikujejo od Bipolarni tranzistorji ( BJTs ), saj so sedanji nadzorom BJTs , medtem ko FETs so napetosti pod nadzorom . To je treba upoštevati pri vplivanje . V bistvu obstajajo tri pogosti načini vplivanja tranzistorjev s poljskim pojavom . Oni so določene predsodke , self- pristranskosti in napetosti delilnika pristranskost . Majhen tok v FETs rezultate v zelo visoko vhodno impedanco , ki vpliva tudi pristranskost , ki se uporablja za zagon tranzistor . Navodila
Fixed Bias
1

Priključite sklopni kondenzator (C1) in upor ( RG ) na FET je vrata terminala.
2

Priključite gate - vir napetost ( VGS ) z negativni pol pritrjen na enem koncu RG . Obdržati izvorno terminal FET pozitivnega do vrat. Signal se uporablja na kondenzatorju in razvit na uporu
3

Izračunajte padec napetosti DC ( VG ) čez RG , z uporabo formule spodaj .

Vg = Ig RG

Ker vratih je vedno negativen glede na izvor , trenutno ne teče skozi Rg invrata terminal tok je torej 0 :

Ig = 0Vds = Vdd - Id RdVs = 0VVc = VdsV = VgsVgs = - VGG

Kje:

Vs - vir voltageVds - Drain vir voltageVgs - Gate vir napetosti
Self- Bias

4

priključite VGS je pozitivni pol vira in negativni terminal na vratih
5

Priključite dva upora : . enega čez vrata in RG , indruga po . vir in Rs
6

Določite napetost na Rs po naslednji formuli :

Vs = Id Rs

Kje:

id - Drain currentVgs = Vg - Vs = 0 - IdRs = ID- ov

padec napetosti čez Rs omogoča vplivanje napetost ( VGS ) je potrebna za zagon FET
. napetosti Divider Bias
7

priključite napetosti delilnika vezje , kot je prikazano v diagramu vezja napetosti delilnika (glej reference ).
8

Povratne prepasana vrata tako da trenutno ne teče skozi njo
9

Ugotovite gate napetost z uporabo formule spodaj .

Vg = ( Vdd /Rg1 + RG2 ) RG2

Kje:

Vg - Gate voltageVdd - Napetost na odtočno terminalRg1 - Upor čez vrata in drainRg2 - Upor čez vrata in priključkom za baterijo
jezik