V sodobnem elektronskem multimetru je prednostni FET ali MOSFET pred BJT, ker?

Imate prav, FET (polnoletni tranzistorji) in MOSFET (kovinsko-oksidno-polprevodniški tranzistorji) so pogosto prednostni pred BJT (bipolarni stičilni tranzistorji) v sodobnih elektronskih multimetrih. Tukaj je razlog:

1. Višja vhodna impedanca:

* FETS in MOSFETS ima izjemno visoko vhodno impedanco. To pomeni, da izmerijo zelo malo toka iz merjenega vezja, kar zmanjšuje vpliv merilnika na delovanje vezja. To je ključnega pomena za natančne meritve, še posebej pri obravnavi vezij z visoko impedanco.

* BJTs imajo bistveno nižjo vhodno impedanco, ki lahko naložijo merjeno vezje, kar vodi do netočnih odčitkov.

2. Nižja poraba energije:

* FETS in MOSFETS so na splošno bolj učinkovite kot BJT. Za delovanje potrebujejo manj energije, kar je pomembno za multimetre na bateriji.

3. Izboljšana stabilnost:

* FET in MOSFET -ji so manj dovzetni za temperaturne razlike in starajoče se učinke kot BJT. To pomeni boljšo stabilnost in daljšo življenjsko dobo naprav.

4. Lažja integracija:

* FET in MOSFET -ji so lažje na voljo v manjših paketih in jih je mogoče enostavno vključiti v integrirana vezja (ICS). Zaradi tega so idealni za kompaktne in sodobne multimetre z visoko gostoto komponent.

5. Manj hrupa:

* FETS in MOSFET ustvarjajo manj notranjega hrupa kot BJTS. To je koristno za natančne meritve, zlasti v okolju z nizkim signalom.

Vendar je pomembno opozoriti, da se BJT še vedno uporabljajo v nekaterih večmesečnih aplikacijah:

* BJT-ji so lahko v določenih primerih bolj stroškovno učinkovitejši.

* BJT -ji lahko upravljajo z višjimi tokovi kot FETS/MOSFET, kar bi bilo morda potrebno v nekaterih aplikacijah.

Če povzamemo, medtem ko so BJT -ji običajno uporabljajo pri starejših multimetrih, FET in MOSFES ponujajo pomembne prednosti v smislu vhodne impedance, porabe energije, stabilnosti, integracije in zmanjšanja hrupa, zaradi česar so v sodobnih multimetrih želena izbira.